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碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料

文章出處:原創(chuàng)網(wǎng)責(zé)任編輯:作者:黃丹丹人氣:-發(fā)表時(shí)間:2017-12-02 13:26:00【

碳化硅基傳感器能夠彌補(bǔ)Si基傳感器在高溫、高壓等惡劣環(huán)境下的性能缺陷,從而擁有更廣闊的適用空間

碳化硅功率器件可使電力電子系統(tǒng)的功率、溫度、頻率、抗輻射能力、效率和可靠性倍增,帶來(lái)體積、重量以及成本的大幅減低。

目前全球有超過(guò)30家公司在電力電子領(lǐng)域擁有對(duì)SiC、GaN相關(guān)產(chǎn)品的生產(chǎn)、設(shè)計(jì)、制造與銷(xiāo)售能力,并正在進(jìn)行相關(guān)的SiC、GaN的技術(shù)研發(fā)。

由于能源和環(huán)境問(wèn)題日益凸顯,節(jié)能環(huán)保和低碳發(fā)展逐漸成為全球共識(shí)。降低能耗、提高能源使用效率是當(dāng)今世界各國(guó)節(jié)能減排的重大舉措。

以碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料及功率器件被公認(rèn)將成為電子電力應(yīng)用的一次革命,受到世界各國(guó)政府與產(chǎn)業(yè)界的廣泛關(guān)注和高度重視,將成為增長(zhǎng)潛力巨大的戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)。

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