碳化硅(SiC)是第三代半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬度大、臨界擊穿場強(qiáng)高、熱導(dǎo)率高等優(yōu)點(diǎn)，是制作高壓、大功率半導(dǎo)體器件的理想材料。 雖然長出高質(zhì)量大直徑的SiC單晶極為重要，但是晶片加工則對晶片的表面質(zhì)量起決定作用，其中把體塊單晶切割成翹曲度小、厚度均勻、刀縫損失小的晶片非常重要，否則將給后續(xù)的磨拋工作帶來極大的困難。由于SiC的莫氏硬度為9.2，僅次于金剛石(其莫氏硬度為10)，加工難度很大。當(dāng)晶體的直徑達(dá)到2英寸時，常規(guī)的內(nèi)圓切割機(jī)不能有效地工作，必須采用金剛石線切割技術(shù)。

金剛石線切割機(jī)的切割原理與弓鋸相仿。高速旋轉(zhuǎn)并往復(fù)回轉(zhuǎn)的繞絲筒帶動金剛石線做往復(fù)運(yùn)動，金剛石線被二個張緊線輪(彈簧或氣動)所張緊，同時加設(shè)二個導(dǎo)向輪以確保切割的精度和面型。 通過自動控制工作臺向金剛石線控制臺方向不斷地進(jìn)給，或是控制金剛石線控制臺向工作臺方向不斷進(jìn)給，從而使金剛石線與被切割物件間產(chǎn)生磨削而形成切割。切割過程中，由于金剛石線直徑小，且具有彈性，金剛石切割線在被被切割物件和位于其左右的兩個導(dǎo)向輪之間形成了一個張角，金剛石線呈微弧狀。因此施加到被切割物件上的力聯(lián)同金剛石線與被切割物件間的相對運(yùn)動，才使切割不斷得以進(jìn)行。

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